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CGHV1J025D

更新时间： 2024-01-18 11:53:41
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科锐 - CREE /
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9页 763K
描述
25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

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CGHV1J025D 数据手册

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CGHV1J025D  
25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die  
Cree’s CGHV1J025D is a high voltage gallium nitride (GaN) High Electron  
Mobility Transistor (HEMT) on a silicon carbide substrate, using a 0.25 μm  
gate length fabrication process. This GaN-on-SiC product offers superior high  
frequency, high efficiency features. It is ideal for a variety of applications  
operating from 10 MHz to 18 GHz at 40 V with a high breakdown voltage.  
FEATURES  
APPLICATIONS  
•ꢀ 17 dB Typ. Small Signal Gain at 10 GHz  
•ꢀ Satellite Communications  
•ꢀ PTP Communications Links  
•ꢀ Marine Radar  
•ꢀ 60% Typ. PAE at 10 GHz  
•ꢀ 25 W Typical Psat  
•ꢀ 40 V Operation  
•ꢀ Pleasure Craft Radar  
•ꢀ Port Vessel Traffic Services  
•ꢀ Broadband Amplifiers  
•ꢀ High Efficiency Amplifiers  
•ꢀ Up to 18GHz Operation  
Packaging Information  
•ꢀ Bare die are shipped in Gel-Pak® containers or on tape.  
•ꢀ Non-adhesive tacky membrane immobilizes die during  
shipment.  
Subject to change without notice.  
www.cree.com/rf  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CGHV1J025D-GP4 MACOM

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