CGH35030F

更新时间： 2024-09-25 03:25:23

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30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX

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CGH35030F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	120 V
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e4
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	GOLD OVER NICKEL	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM NITRIDE
Base Number Matches：	1

CGH35030F 数据手册

PRELIMINARY

CGH35030F

30 W, 3300-3900 MHz, 28V, GaN HEMT for WiMAX

Cree’s CGH35030F is a gallium nitride (GaN) high electron mobility

transistor (HEMT) designed speciﬁcally for high efﬁciency, high gain and

wide bandwidth capabilities, which makes the CGH35030F ideal for 3.3-

3.9GHz WiMAX and BWA ampliﬁer applications. The transistor is supplied

in a ceramic/metal ﬂange package.

Typical Performance Over 3.3-3.7GHz (T_C= 25˚C) of Demonstration Ampliﬁer

Parameter

3.3 GHz

3.4 GHz

3.5 GHz

3.6 GHz

3.7 GHz

Units

Small Signal Gain

10.9

11.1

10.9

10.7

10.8

EVM @ 36 dBm

Drain Efﬁciency @ 36 dBm

Input Return Loss

Note:

1.9

20.8

8.2

1.9

21.6

5.3

2.0

22.7

4.0

2.0

23.9

3.7

20.8

11.4

Measured in the CGH35030F-TB ampliﬁer circuit, under 802.16 OFDM, 3.5 MHz Channel BW, 1/4 Cyclic Preﬁx, 64

QAM Modulated Burst, Symbol Length of 59, Coding Type RS-CC, Coding Rate Type 2/3.

Features

• 3.3 - 3.9 GHz Operation

• >11 dB Small Signal Gain

• 2.0 % EVM at 4 W P_OUT

• 23 % Efﬁciency at 4 W P_OUT

• 3.7˚C/W Typical thermal resistance under 4.0 W P_AVEOFDM

• WiMAX Fixed Access 802.16-2004 OFDM

Subject to change without notice.

ꢀ

www.cree.com/wireless

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