Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CFY67-10PP

CFY67-10PP

更新时间： 2024-02-14 07:16:35

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	695K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, MICROX-4

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CFY67-10PP 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.16	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3.5 V	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
FET 技术：	HIGH ELECTRON MOBILITY	最高频带：	K BAND
JESD-30 代码：	O-CRDB-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	10.5 dB	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	ESA/SCC 5613/004	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CFY67-10PP 数据手册

CFY67

HiRel K-Band GaAs Super Low Nois e HEMT

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• Pseudo-morphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT

• For professional super low-noise amplifiers

• For frequencies from 500 MHz to > 20 GHz

• Hermetically sealed microwave package

• Super low noise figure, high associated gain

•

Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5613/004,

Type Variant No.s 01 to 04, 05 foreseen (tbc.)

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

Package

CFY67-06 (ql)

CFY67-08 (ql)

CFY67-08P (ql)

CFY67-10 (ql)

CFY67-10P (ql)

see below

Micro-X

CFY67-nnl: specifies gain and output power levels (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702F1699

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702F1699

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 10

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CFY6710PPZZZA1	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor
CFY67-10PS	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
CFY76-10	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, P-Channel, H
CFY77	INFINEON	获取价格	AlGaAs / InGaAs HEMT (Very low noise Very high gain For low noise front end amplifiers up
CFY77-08	INFINEON	获取价格	AlGaAs / InGaAs HEMT (Very low noise Very high gain For low noise front end amplifiers up
CFY77-10	INFINEON	获取价格	AlGaAs / InGaAs HEMT (Very low noise Very high gain For low noise front end amplifiers up
CFZ100	RCD	获取价格	Carbon Film 0.125W - 3W
CFZ100-113-JBW	RCD	获取价格	Fixed Resistor, Carbon Composition, 1W, 11000ohm, 600V, 5% +/-Tol,
CFZ100-126-JBW	RCD	获取价格	Fixed Resistor, Carbon Composition, 1W, 12000000ohm, 600V, 5% +/-Tol,
CFZ100-136-JTW	RCD	获取价格	Fixed Resistor, Carbon Composition, 1W, 13000000ohm, 600V, 5% +/-Tol,

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