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CFRB202-G PDF预览

CFRB202-G

更新时间： 2024-11-24 03:25:23
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上华 - COMCHIP /
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2页 71K
描述
SMD Efficient Fast Recovery Rectifier

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CFRB202-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.44其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：5 µA最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CFRB202-G 数据手册

 浏览型号CFRB202-G的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Efficient Fast Recovery Rectifier  
CFRB201-G Thru CFRB207-G (RoHS Device)  
Reverse Voltage: 50 ~ 1000 Volts  
Forward Current: 2.0 Amp  
Features:  
Ideal for surface mount applications  
Easy pick and place  
DO-214AA (SMB)  
Plastic package has Underwriters Lab.  
flammability classification 94V-0.  
Fast recovery time: 150 ~ 500nS  
Low leakage current  
0.083(2.11)  
0.075(1.91)  
0.155(3.94)  
0.130(3.30)  
0.185(4.70)  
0.160(4.06)  
Mechanical Data:  
0.012(0.31)  
0.006(0.15)  
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic  
Terminals: solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
0.096(2.44)  
0.083(2.13)  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting position: Any  
Approx. Weight: 0.093 gram  
0.008(0.20)  
0.203(0.10)  
0.050(1.27)  
0.030(0.76)  
0.220(5.59)  
0.200(5.08)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum Ratings and Electrical Characterics:  
CFRB  
201-G  
CFRB  
202-G  
CFRB  
203-G  
CFRB  
204-G  
CFRB  
205-G  
CFRB  
206-G  
CFRB  
207-G  
Unit  
Parameter  
Max. Repetitive Peak Reverse Voltage  
Max. DC Blocking Voltage  
Max. RMS Voltage  
Symbol  
VRRM  
VDC  
V
V
V
50  
50  
35  
100  
100  
70  
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
600  
420  
800  
800  
560  
1000  
1000  
700  
VRMS  
Peak Surge Forward Current  
8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rate load  
(JEDEC method)  
IFSM  
A
60  
A
V
Max. Average Forward Current  
Io  
2.0  
1.3  
Max. Instantaneous Forward Voltage  
at 2.0A  
VF  
Trr  
Reverse recovery time  
250  
500  
nS  
100  
Max. DC Reverse Current at Rated DC  
Ta=25oC  
IR  
uA  
Blocking Voltage  
5.0  
50  
Ta=100oC  
R
Max. Thermal Resistance (Note1)  
Max. Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
oC/W  
oC  
20  
JL  
Tj  
-55 to +150  
-55 to +150  
oC  
TSTG  
Note1: Thermal resistance from junction to ambient.  
“-G” suffix designates RoHS compliant Version  
Page1  
www.comchiptech.com  
12

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