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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.40 |
| 风险等级： | 5.36 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 8 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.12 A | FET 技术： | HIGH ELECTRON MOBILITY |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.029 pF | 最高频带： | KA BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N7 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 7 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.8 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 9.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET RF Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CF001-03_08 | MIMIX |
获取价格 |
GaAs Pseudomorphic HEMT Transistor |
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| CF001-03-000W | MIMIX |
获取价格 |
Transistor, |
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| CF003 | MIMIX |
获取价格 |
GaAs Pseudomorphic HEMT and MESFET Chips |
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| CF003-01 | MIMIX |
获取价格 |
Broadband Power GaAs MESFET Chips |
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| CF003-01-000V | MIMIX |
获取价格 |
Transistor, |
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| CF003-01-000W | MIMIX |
获取价格 |
Transistor, |
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| CF003-01-000X | MIMIX |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| CF003-02 | MIMIX |
获取价格 |
GaAs Pseudomorphic HEMT and MESFET Chips |
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| CF003-03 | MIMIX |
获取价格 |
GaAs Pseudomorphic HEMT and MESFET Chips |
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| CF003-03-000V | MIMIX |
获取价格 |
Transistor, |
|
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