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CEU6056

更新时间： 2022-10-21 09:43:00

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华瑞 - CET		晶体晶体管
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4页	352K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEU6056 数据手册

CED6056/CEU6056

10³

V_DS=48V

I_D=50A

R_DS(ON)Limit

10²

100us

1ms

10ms

10¹

10⁰

T_C=25 C

T_J=175 C

Single Pulse

10^-1

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

10²

Qg, Total Gate Charge (nC)

VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

10^-1

10^-2

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

Square Wave Pulse Duration (sec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

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