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CEU61A3

更新时间： 2024-02-28 13:19:49

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描述
30V N Channel MOS

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CEU61A3 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CEU61A3 数据手册

CED61A3/CEU61A3

Jan. 2003

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

30V , 40A , RDS(ON)=13.5m @VGS=10V.

Ω

DS(ON)=20m

@VGS=4.5V.

Super high dense cell design for extremely low R^DS(ON)

High power and current handling capability.

TO-251 & TO-252 package.

CEU SERIES

TO-252AA(D-PAK)

CED SERIES

TO-251(l-PAK)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

VGS

Gate-Source Voltage

120

Drain Current-Continuous

-Pulsed

Drain-Source Diode Forward Current

Maximum Power Dissipation

@Tc=25 C

Derate above 25 C

0.4

W/ C

Operating and Storage Temperature Range

, TSTG

-55 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

C/W

įJC

2.5

RįJA

6-62

12 3 4 5

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