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CEU02N6

更新时间： 2024-01-28 11:54:02

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
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5页	46K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEU02N6 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

CEU02N6 数据手册

CED02N6/CEU02N6

Dec. 2002

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

600V , 1.9A , RDS(ON)=5

@VGS=10V.

Ω

Super high dense cell design for extremely low R^DS(ON)

High power and current handling capability.

TO-251 & TO-252 package.

CEU SERIES

TO-252AA(D-PAK)

CED SERIES

TO-251(l-PAK)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

Parameter

Symbol

Drain-Source Voltage

600

VGS

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous (Tc=25 C)

-Continuous (Tc=100 C)

-Pulsed

1.9

1.2

Drain-Source Diode Forward Current

Maximum Power Dissipation

@Tc=25 C

Derate above 25 C

0.34

W/ C

Operating and Storage Temperautre Range

, TSTG

-55 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

C/W

įJC

2.9

RįJA

6-77

12 3 4 5

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