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CEP10N4

更新时间： 2024-02-23 08:47:19

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEP10N4 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CEP10N4 数据手册

CEP10N4/CEB10N4

CEI10N4/CEF10N4

V_GS=10,8,7,6V

25 C

-55 C

T_J=125 C

_GS=5V

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

1800

1500

1200

900

600

300

I_D=6A

V_GS=10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

I_D=250µA

_GS=0V

10¹

10⁰

10^-1

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

TJ, Junction Temperature( C)

VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

4 - 52

1 234

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