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CEP01N65

更新时间： 2024-01-05 21:01:00

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	429K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEP01N65 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

CEP01N65 数据手册

CEP01N65/CEB01N65

CEF01N65

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

2.4

2.0

1.6

1.2

V_GS=10,8,7V

_GS=5V

0.8

25 C

_GS=4V

0.4

T_J=125 C

-55 C

0.0

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

300

250

200

150

100

I_D=0.6A

V_GS=10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

I_D=250µA

_GS=0V

10⁰

10^-1

10^-2

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.2

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

TJ, Junction Temperature( C)

VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

1 234

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