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CEM9435A_10

更新时间： 2022-10-21 02:02:40

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	369K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEM9435A_10 数据手册

CEM9435A

-V_GS=10,9,8,7V

25 C

-V_GS=6V

-V_GS=5V

-V_GS=4V

-V_GS=3V

-55 C

2.0

T_J=125 C

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.5

3.0

-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

-VGS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

2.2

1.9

1.6

1.3

1.0

0.7

0.4

1200

1000

800

600

400

200

I_D=-5.3A

V_GS=-10V

iss

oss

rss

-100

-50

100

150

200

-VDS, Drain-to-Source Voltage (V)

TJ, Junction Temperature( C)

Figure 3. Capacitance

Figure 4. On-Resistance Variation

with Temperature

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

V_DS=V_GS

_GS=0V

I_D=-250µA

10¹

10⁰

10^-1

-50 -25

25 50 75 100 125 150

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

TJ, Junction Temperature( C)

-VSD, Body Diode Forward Voltage (V)

Figure 5. Gate Threshold Variation

with Temperature

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

Variation with Source Current

1 234

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