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CEH2313

更新时间： 2024-02-08 01:19:47

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
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4页	131K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEH2313 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

CEH2313 数据手册

CEH2313

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

-30V, -4.6A, R_DS(ON)= 60mΩ @V_GS= -10V.

R_DS(ON)= 90mΩ @V_GS= -4.5V.

High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Rugged and reliable.

D(1,2,5,6,)

Lead free product is acquired.

TSOP-6 package.

G(3)

S(4)

TSOP-6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A= 25 C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Units

Drain-Source Voltage

-30

±20

-4.6

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^a

I_DM

-18.4

Maximum Power Dissipation

P_D

2.0

Operating and Store Temperature Range

TJ,Tstg

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Limit

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ^b

RθJA

62.5

C/W

Rev 1. 2005.October

http://www.cetsemi.com

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