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CEH2316

更新时间： 2024-01-20 07:59:15

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华瑞 - CET		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	132K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEH2316 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

CEH2316 数据手册

CEH2316

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

30V, 6A , R_DS(ON)= 34mΩ @V_GS= 10V.

R_DS(ON)= 50mΩ @V_GS= 4.5V.

High dense cell design for extremely low R_DS(ON)

Rugged and reliable.

D(1,2,5,6,)

Lead free product is acquired.

TSOP-6 package.

G(3)

S(4)

TSOP-6

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A= 25 C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Units

Drain-Source Voltage

±20

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^a

I_DM

Maximum Power Dissipation

P_D

2.0

Operating and Store Temperature Range

TJ,Tstg

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Limit

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient ^b

RθJA

62.5

C/W

Rev 1. 2005.December

http://www.cetsemi.com

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