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CEF09N6

更新时间： 2024-02-15 14:37:32

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华瑞 - CET		晶体晶体管场效应晶体管
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描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEF09N6 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CEF09N6 数据手册

CEF09N6

Jul. 2002

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

600V , 6A ,RDS(ON)= 1.2Ω @VGS=10V.

Super high dense cell design for extremely low R^DS(ON)

High power and current handling capability.

TO-220F full-pak for through hole.

TO-220F

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25 C unless otherwise noted)

Limit

Unit

Parameter

Symbol

600

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

-Pulsed

Drain-Source Diode Forward Current

Maximum Power Dissipation

@Tc=25 C

Derate above 25 C

W/ C

0.38

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-55 to 150

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

C/W

įJC

2.6

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

RįJA

6-127

12 3 4 5

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