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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> CDSOT563-0502
CDSOT563-0502 PDF预览

CDSOT563-0502

更新时间： 2024-09-28 12:55:47
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 瞬态抑制器二极管电视光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 266K
描述
Surface Mount TVS Diode Array

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CDSOT563-0502 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-F6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：5.77其他特性：LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：9 V最小击穿电压：6 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：5 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDSOT563-0502 数据手册

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Features  
Applications  
■ Lead free as standard  
■ RoHS compliant*  
■ Low capacitance - 2 pF  
■ ESD protection >15 kV  
■ Personal Digital Assistant (PDAs)  
■ Mobile phones and accessories  
■ Portable electronics  
■ ADSL / VDSL cards  
CDSOT563-0502 - Surface Mount TVS Diode Array  
General Information  
I/O 1  
VDD  
I/O 2  
The CDSOT563-0502 device provides ESD and EFT protection for high speed data  
ports meeting IEC 61000-4-2 (ESD) and IEC 61000-4-4 (EFT) requirements. The  
Transient Voltage Suppressor array offers a Working Peak Reverse Voltage of 5 V and  
Minimum Breakdown Voltage of 6 V.  
6
5
4
The SOT563 packaged device will mount directly onto the industry standard SOT563  
®
footprint. Bourns Chip Diodes are easy to handle with standard pick and place  
equipment and the flat configuration minimizes roll away.  
1
2
3
I/O 1  
GND  
1/O 2  
Electrical & Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
A
°C  
°C  
V
Peak Pulse Current  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
Working Peak Voltage  
Breakdown Voltage  
I
(t = 8/20 µs)  
6
+150  
+125  
5
9
5
PPM  
p
T
T
V
V
-55  
-40  
+25  
+25  
STG  
OPR  
WM  
@ 1 mA, Pin 5 to Pin 2  
6
V
µA  
BR  
Leakage Current @ V  
I
V
= 5 V, V  
= 0 V, Pin 5 to Pin 2  
WM  
L
pin5  
pin2  
Channel Leakage Current @  
I
V
= 5 V, V  
= 0 V, Any I/O to Pin 2  
1
1
µA  
CH  
pin5  
pin2  
V
WM  
Forward Voltage  
Clamping Voltage  
Channel Input Capacitance  
V
@ If =15 mA  
= 5 A, t = 8/20µs  
0.8  
9
2
V
V
pF  
F
V
I
PP  
clamp_VDD  
p
C
V
V
= 5 V, V  
= 0 V, V = 2.5 V, f = 1 MHz  
2.5  
3.6  
IN-1  
pin5  
pin5  
pin2  
IN  
= floated, V  
pin2  
= 0 V, V = 2.5 V, f = 1  
IN  
Channel Input Capacitance  
C
2.8  
0.4  
pF  
pF  
pF  
IN-2  
MHz  
Channel to Channel Input  
Capacitance  
C
V
= 5 V, V  
pin2  
= 0 V, V = 2.5 V, f = 1 MHz  
IN  
0.5  
CROSS-1  
pin5  
pin5  
Channel to Channel Input  
V
= floated, V  
pin2  
= 0 V, V = 2.5 V, f = 1  
IN  
C
0.55  
0.65  
CROSS-2  
Capacitance  
MHz  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan. 27, 2003 including annex and RoHS Recast 2011/65/EU June 8, 2011.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications  
1234

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CDSOT563-0502 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RCLAMP0504F.TCT SEMTECH

功能相似

 RailClamp® Low Capacitance TVS Array
TPD4E004DRYR TI

功能相似

 4-CHANNEL ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
USBLC6-2P6 STMICROELECTRONICS

功能相似

 VERY LOW CAPACITANCE ESD PROTECTION

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