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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> CDNBS08-SLVU2.8-4
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CDNBS08-SLVU2.8-4

更新时间： 2024-02-12 10:31:51
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伯恩斯 - BOURNS 瞬态抑制器二极管电视光电二极管PC局域网
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4页 326K
描述
CDNBS08-SLVU2.8-4 - Low Capacitance TVS Array

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CDNBS08-SLVU2.8-4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：1.71
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：658715Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：TVS Diode (Bi-directional)Samacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：CDNBS08-SLVU2.8-4Samacsys Released Date：2019-05-22 03:19:16
Is Samacsys：N其他特性：LOW CAPACITANCE
最小击穿电压：3 V配置：SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：600 W
元件数量：4端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：2.8 V表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CDNBS08-SLVU2.8-4 数据手册

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Features  
Applications  
■ Lead free device (RoHS compliant*)  
■ Protects up to 4 I/O ports  
■ Unidirectional configuration  
■ ESD protection  
■ Ethernet – 10/100/1000 Base T  
■ Personal digital assistant  
■ Handheld electronics  
■ Cellular phones  
■ Low capacitance 3 pF  
■ Video cards  
CDNBS08-SLVU2.8-4 – Low Capacitance TVS Array  
General Information  
The markets of portable communications, computing and video equipment are  
challenging the semiconductor industry to develop increasingly smaller electronic  
components.  
8
7
6
5
Bourns offers Transient Voltage Suppressor Array combination diodes for surge and  
ESD protection applications in an 8 Lead Narrow Body SOIC package size format.  
Bourns Chip Diodes conform to JEDEC standards, are easy to handle on standard  
pick and place equipment and their flat configuration minimizes roll away.  
The Bourns device® will meet IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT) and IEC  
61000-4-5 (Surge) requirements.  
1
2
3
4
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
IPP  
Min.  
Nom.  
30  
Max.  
Unit  
Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)  
Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)1  
Working Voltage  
A
W
V
PPP  
VWM  
VBR  
ID  
600  
2.8  
1.0  
Breakdown Voltage @ 1 mA  
Leakage Current @ VWM  
Capacitance @ 0 V, 1 MHz  
Snapback Voltage  
3.0  
2.8  
V
µA  
pF  
V
C
6
@ IPP = 2 A  
VC  
VC  
VC  
VC  
5.5  
8.5  
15  
V
@ IPP = 5 A  
Clamping Voltage  
V
@ IPP = 24 A  
V
@ IPP = 30 A  
21  
V
Note:  
1. See Peak Pulse Power vs. Pulse Time.  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
TJ  
Min.  
-55  
Nom.  
+25  
Max.  
+150  
+150  
Unit  
°C  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
TSTG  
-55  
+25  
°C  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003 including Annex.  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
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CDNBS08-SLVU2.8-4 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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