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CD5519 PDF预览

CD5519

更新时间： 2024-11-16 18:21:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 126K
描述
Zener Diode, 3.6V V(Z), 20%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2

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CD5519 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：S-XXUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.55
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：S-XXUC-N2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：3.6 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：NO LEAD
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：20%工作测试电流：20 mA
Base Number Matches：1

CD5519 数据手册

 浏览型号CD5519的Datasheet PDF文件第2页 
CD5518B  
thru  
• 1N5518B THRU 1N5546B AVAILABLE IN JANHC AND JANKC  
PER MIL-PRF-19500/437  
• ZENER DIODE CHIPS  
CD5546B  
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE  
• ELECTRICALLY EQUIVALENT TO 1N5518B THRU 1N5546B  
• 0.5 WATT CAPABILITY WITH PROPER HEAT SINKING  
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES,  
WITH THE EXCEPTION OF SOLDER REFLOW  
23 MILS  
15 MILS  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Forward Voltage @ 200 mA: 1.5 Volts Maximum  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise speci½ed  
NOMINAL  
ZENER  
VOLTAGE  
MAX. REVERSE  
MAX. ZENER LEAKAGE CURRENT REGULATION  
JEDEC  
TYPE  
LOW  
V
Z
TEST  
IMPEDANCE  
FACTOR  
NUMBER  
V
@ l  
ZT  
CURRENT  
Z
@ l  
l
R
V
³V  
Z
CURRENT  
R
Z
ZT  
ZT  
VOLTS  
l
T
OHMS  
µ Adc  
VOLTS  
l
Z
ZL  
(Note 1)  
mAdc  
(Note 2)  
VOLTS  
(Note 3)  
mAdc  
CD5518B  
CD5519B  
CD5520B  
CD5521B  
CD5522B  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
20  
20  
20  
20  
10  
26  
24  
22  
18  
22  
5.0  
3.0  
1.0  
3.0  
2.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
2.0  
0.90  
0.90  
0.90  
0.75  
0.60  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
1.0  
BACKSIDE IS CATHODE  
CD5523B  
CD5524B  
CD5525B  
CD5526B  
CD5527B  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
5.0  
3.0  
1.0  
1.0  
1.0  
26  
30  
30  
30  
35  
2.0  
2.0  
1.0  
1.0  
0.5  
2.5  
3.5  
5.0  
6.2  
6.8  
0.65  
0.30  
0.20  
0.10  
0.05  
0.25  
0.25  
0.01  
0.01  
0.01  
CD5528B  
CD5529B  
CD5530B  
CD5531B  
CD5532B  
8.2  
9.1  
10.0  
11.0  
12.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
40  
45  
60  
80  
90  
0.5  
0.1  
0.05  
0.05  
0.05  
7.5  
8.2  
9.1  
9.9  
10.8  
0.05  
0.05  
0.10  
0.20  
0.20  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
DESIGN DATA  
METALLIZATION:  
Top: (Anode)......................Al  
CD5533B  
CD5534B  
CD5535B  
CD5536B  
CD5537B  
13.0  
14.0  
15.0  
16.0  
17.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
90  
100  
100  
100  
100  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
11.7  
12.6  
13.5  
14.4  
15.3  
0.20  
0.20  
0.20  
0.20  
0.20  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.10  
Back: (Cathode)............ ...Au  
AL THICKNESS............25,000 Å Min  
GOLD THICKNESS........4,000 Å Min  
CHIP THICKNESS..................10 Mils  
CD5538B  
CD5539B  
CD5540B  
CD5541B  
CD5542B  
18.0  
19.0  
20.0  
22.0  
24.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
100  
100  
100  
100  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
16.2  
17.1  
18.0  
19.8  
21.6  
0.20  
0.20  
0.20  
0.25  
0.30  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
CD5543B  
CD5544B  
CD5545B  
CD5546B  
25.0  
28.0  
30.0  
33.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
100  
100  
100  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
22.4  
25.2  
27.0  
29.7  
0.35  
0.40  
0.45  
0.50  
0.01  
0.01  
0.01  
0.01  
CIRCUIT LAYOUT DATA:  
For Zener operation, cathode  
must be operated positive with  
respect to anode.  
NOTE 1 Suffix “B” voltage range equals nominal Zener voltage + 5%. Suffix “A” equals  
+ 10%. No Suffix equals + 20%. Zener voltage is read using a pulse  
TOLERANCES: ALL Dimensions  
+ 2 mils, Except Anode Pad Where  
Tolerance is + 0.1 mils.  
measurement, 10 milliseconds maximum. "C" suffix = + 2% and "D" suffix = +1%.  
NOTE 2 Zener impedance is derived by superimposing on l  
A 60Hz rms a.c.  
ZT  
current equal to 10% of l  
.
ZT  
NOTE 3 ³VZ is the maximum difference between V @ 1  
and V at 1 measured  
Z
ZT  
Z
ZL  
with the device junction in thermal equilibrium at an ambient temperature of  
+25° + 3°C.  
6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841  
PHONE (978) 620-2600  
WEBSITE: http://www.microsemi.com  
FAX (978) 689-0803  
209  
12

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CD5519A MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.6V V(Z), 10%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DIE-2
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