是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP14,.3 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 1.53 | 系列: | HCT |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.56 mm | 负载电容(CL): | 50 pF |
逻辑集成电路类型: | NAND GATE | 最大I(ol): | 0.004 A |
功能数量: | 2 | 输入次数: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP14,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
包装方法: | TUBE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 最大电源电流(ICC): | 0.04 mA |
Prop。Delay @ Nom-Sup: | 42 ns | 传播延迟(tpd): | 42 ns |
认证状态: | Not Qualified | 施密特触发器: | NO |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | Gate | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CD74HCT20EE4 | TI |
完全替代 |
具有 TTL 兼容型 CMOS 输入的 2 通道、4 输入、4.5V 至 5.5V 与非门 | |
CD74HCT20E | TI |
完全替代 |
High Speed CMOS Logic Dual 4-Input NAND Gate |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CD54HCT20H | RENESAS |
获取价格 |
CD54HCT20H | |
CD54HCT20H/3A | RENESAS |
获取价格 |
HCT SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, UUC14 | |
CD54HCT20M | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT21E | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT21EN | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT21F | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT21F3A | RENESAS |
获取价格 |
AND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, CDIP14 | |
CD54HCT21H/3A | RENESAS |
获取价格 |
AND Gate, HCT Series, 2-Func, 4-Input, CMOS | |
CD54HCT21M | ETC |
获取价格 |
Logic IC | |
CD54HCT22106E | ETC |
获取价格 |
Interface IC |