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CD4011BDMSR

更新时间： 2024-01-01 22:54:07

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瑞萨 - RENESAS		栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
9页	110K
描述
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14

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CD4011BDMSR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP14,.3
针数：	14	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.64
系列：	4000/14000/40000	JESD-30 代码：	R-CDIP-T14
JESD-609代码：	e0	长度：	19.43 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NAND GATE
最大I（ol）：	0.00036 A	功能数量：	4
输入次数：	2	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5/15 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	338 ns
传播延迟（tpd）：	338 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	1 mm	子类别：	Gates
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	2 mm	Base Number Matches：	1

CD4011BDMSR 数据手册

CD4011BMS, CD4012BMS, CD4023BMS

Typical Performance Characteristics (Continued)

200

AMBIENT TEMPERATURE (T_A) = +25^oC

175

SUPPLY VOLTAGE (VDD) = 5V

150

125

100

200

150

100

SUPPLY VOLTAGE (VDD) = 5V

10V

15V

10V

15V

100

90 100

LOAD CAPACITANCE (CL) (pF)

FIGURE 7. TYPICAL PROPAGATION DELAY TIME PER GATE

AS A FUNCTION OF LOAD CAPACITANCE

FIGURE 8. TYPICAL TRANSITION TIME AS A FUNCTION OF

LOAD CAPACITANCE

Chip Dimensions and Pad Layouts

CD4011BMSH

CD4012BMSH

METALLIZATION: Thickness: 11kÅ − 14kÅ, AL.

PASSIVATION: 10.4kÅ - 15.6kÅ, Silane

BOND PADS: 0.004 inches X 0.004 inches MIN

DIE THICKNESS: 0.0198 inches - 0.0218 inches

Dimensions in parentheses are in millimeters

and are derived from the basic inch dimensions

as indicated. Grid graduations are in mils (10^-3inch)

CD4023BMSH

7-61

1...6 7 89

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