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CD4011BDMSR PDF预览

CD4011BDMSR

更新时间： 2024-01-20 23:55:24
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
9页 110K
描述
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14

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CD4011BDMSR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.64
系列：4000/14000/40000JESD-30 代码：R-CDIP-T14
JESD-609代码：e0长度：19.43 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.00036 A功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：338 ns
传播延迟（tpd）：338 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：1 mm子类别：Gates
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：100k Rad(Si) V
宽度：2 mmBase Number Matches：1

CD4011BDMSR 数据手册

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Specifications CD4011BMS, CD4012BMS, CD4023BMS  
Absolute Maximum Ratings  
Reliability Information  
DC Supply Voltage Range, (VDD) . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +20V  
(Voltage Referenced to VSS Terminals)  
Thermal Resistance . . . . . . . . . . . . . . . .  
Ceramic DIP and FRIT Package . . . . . 80 C/W  
Flatpack Package . . . . . . . . . . . . . . . . 70 C/W  
θ
θ
jc  
ja  
o
o
20 C/W  
o
o
Input Voltage Range, All Inputs . . . . . . . . . . . . .-0.5V to VDD +0.5V  
DC Input Current, Any One Input . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±10mA  
20 C/W  
o
Maximum Package Power Dissipation (PD) at +125 C  
o
o
o
o
Operating Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . -55 C to +125 C  
Package Types D, F, K, H  
For TA = -55 C to +100 C (Package Type D, F, K) . . . . . . 500mW  
o
o
For TA = +100 C to +125 C (Package Type D, F, K) . . . . .Derate  
o
o
o
Storage Temperature Range (TSTG) . . . . . . . . . . . -65 C to +150 C  
Linearity at 12mW/ C to 200mW  
Device Dissipation per Output Transistor . . . . . . . . . . . . . . . 100mW  
For TA = Full Package Temperature Range (All Package Types)  
o
Lead Temperature (During Soldering) . . . . . . . . . . . . . . . . . +265 C  
At Distance 1/16 ± 1/32 Inch (1.59mm ± 0.79mm) from case for  
10s Maximum  
o
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175 C  
TABLE 1. DC ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
LIMITS  
MIN MAX UNITS  
GROUP A  
SUBGROUPS  
PARAMETER  
Supply Current  
SYMBOL  
CONDITIONS (NOTE 1)  
TEMPERATURE  
o
IDD  
VDD = 20V, VIN = VDD or GND  
1
+25 C  
-
0.5  
50  
0.5  
-
µA  
µA  
µA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
nA  
mV  
V
o
2
+125 C  
-
o
VDD = 18V, VIN = VDD or GND  
3
-55 C  
-
o
Input Leakage Current  
Input Leakage Current  
IIL  
VIN = VDD or GND  
VIN = VDD or GND  
VDD = 20  
1
+25 C  
-100  
o
2
+125 C  
-1000  
-
o
VDD = 18V  
VDD = 20  
3
-55 C  
-100  
-
o
IIH  
1
+25 C  
-
-
-
-
100  
1000  
100  
50  
-
o
2
+125 C  
o
VDD = 18V  
3
-55 C  
o
o
o
Output Voltage  
VOL15 VDD = 15V, No Load  
VOH15 VDD = 15V, No Load (Note 3)  
1, 2, 3  
+25 C, +125 C, -55 C  
o
o
o
Output Voltage  
1, 2, 3  
+25 C, +125 C, -55 C 14.95  
o
Output Current (Sink)  
Output Current (Sink)  
Output Current (Sink)  
IOL5  
IOL10  
IOL15  
VDD = 5V, VOUT = 0.4V  
VDD = 10V, VOUT = 0.5V  
VDD = 15V, VOUT = 1.5V  
1
+25 C  
0.53  
1.4  
3.5  
-
-
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V
o
1
+25 C  
-
o
1
+25 C  
-
o
Output Current (Source) IOH5A VDD = 5V, VOUT = 4.6V  
Output Current (Source) IOH5B VDD = 5V, VOUT = 2.5V  
Output Current (Source) IOH10 VDD = 10V, VOUT = 9.5V  
Output Current (Source) IOH15 VDD = 15V, VOUT = 13.5V  
1
+25 C  
-0.53  
-1.8  
-1.4  
-3.5  
-0.7  
2.8  
o
1
+25 C  
-
o
1
+25 C  
-
o
1
1
+25 C  
-
o
N Threshold Voltage  
P Threshold Voltage  
Functional  
VNTH  
VPTH  
F
VDD = 10V, ISS = -10µA  
+25 C  
-2.8  
0.7  
o
VSS = 0V, IDD = 10µA  
1
+25 C  
V
o
VDD = 2.8V, VIN = VDD or GND  
VDD = 20V, VIN = VDD or GND  
VDD = 18V, VIN = VDD or GND  
VDD = 3V, VIN = VDD or GND  
VDD = 5V, VOH > 4.5V, VOL < 0.5V  
7
+25 C  
VOH > VOL <  
VDD/2 VDD/2  
V
o
7
+25 C  
o
8A  
8B  
1, 2, 3  
+125 C  
o
-55 C  
o
o
o
Input Voltage Low  
(Note 2)  
VIL  
VIH  
VIL  
VIH  
+25 C, +125 C, -55 C  
-
1.5  
V
V
V
V
o
o
o
Input Voltage High  
(Note 2)  
VDD = 5V, VOH > 4.5V, VOL < 0.5V  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
+25 C, +125 C, -55 C 3.5  
-
4
-
o
o
o
Input Voltage Low  
(Note 2)  
VDD = 15V, VOH > 13.5V,  
VOL < 1.5V  
+25 C, +125 C, -55 C  
-
o
o
o
Input Voltage High  
(Note 2)  
VDD = 15V, VOH > 13.5V,  
VOL < 1.5V  
+25 C, +125 C, -55 C  
11  
NOTES: 1. All voltages referenced to device GND, 100% testing being 3. Foraccuracy, voltageismeasureddifferentiallytoVDD. Limit  
implemented.  
is 0.050V max.  
2. Go/No Go test with limits applied to inputs  
7-55  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
CD4011BDTR INTERSIL CMOS Quad 2-Input NAND Gate

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