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CD4011BDMSR PDF预览

CD4011BDMSR

更新时间： 2024-01-25 15:42:36
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 栅输入元件逻辑集成电路触发器
页数 文件大小 规格书
9页 110K
描述
4000/14000/40000 SERIES, QUAD 2-INPUT NAND GATE, CDIP14

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CD4011BDMSR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP14,.3
针数：14Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.64
系列：4000/14000/40000JESD-30 代码：R-CDIP-T14
JESD-609代码：e0长度：19.43 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.00036 A功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP14,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15 VProp。Delay @ Nom-Sup：338 ns
传播延迟（tpd）：338 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：1 mm子类别：Gates
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：100k Rad(Si) V
宽度：2 mmBase Number Matches：1

CD4011BDMSR 数据手册

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Specifications CD4011BMS, CD4012BMS, CD4023BMS  
TABLE 3. ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS (Continued)  
LIMITS  
PARAMETER  
Transition Time  
SYMBOL  
CONDITIONS  
VDD = 10V  
NOTES  
1, 2, 3  
1, 2, 3  
1, 2  
TEMPERATURE  
MIN  
MAX  
100  
80  
UNITS  
ns  
o
TTHL  
TTLH  
+25 C  
-
-
-
o
VDD = 15V  
Any Input  
+25 C  
ns  
o
Input Capacitance  
NOTES:  
CIN  
+25 C  
7.5  
pF  
1. All voltages referenced to device GND.  
2. The parameters listed on Table 3 are controlled via design or process and are not directly tested. These parameters are characterized  
on initial design release and upon design changes which would affect these characteristics.  
3. CL = 50pF, RL = 200K, Input TR, TF < 20ns.  
TABLE 4. POST IRRADIATION ELECTRICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS  
LIMITS  
PARAMETER  
Supply Current  
SYMBOL  
IDD  
CONDITIONS  
NOTES  
1, 4  
TEMPERATURE  
MIN  
MAX  
2.5  
UNITS  
o
VDD = 20V, VIN = VDD or GND  
VDD = 10V, ISS = -10µA  
+25 C  
-
-2.8  
-
µA  
V
o
N Threshold Voltage  
VNTH  
1, 4  
+25 C  
-0.2  
±1  
o
N Threshold Voltage  
Delta  
∆VNTH VDD = 10V, ISS = -10µA  
1, 4  
+25 C  
V
o
P Threshold Voltage  
VPTH  
VSS = 0V, IDD = 10µA  
1, 4  
1, 4  
+25 C  
0.2  
-
2.8  
V
V
o
P Threshold Voltage  
Delta  
∆VPTH VSS = 0V, IDD = 10µA  
+25 C  
±1  
o
Functional  
F
VDD = 18V, VIN = VDD or GND  
1
+25 C  
VOH >  
VDD/2  
VOL <  
VDD/2  
V
VDD = 3V, VIN = VDD or GND  
VDD = 5V  
o
Propagation Delay Time  
TPHL  
TPLH  
1, 2, 3, 4  
+25 C  
-
1.35 x  
ns  
o
+25 C  
Limit  
o
NOTES: 1. All voltages referenced to device GND.  
2. CL = 50pF, RL = 200K, Input TR, TF < 20ns.  
3. See Table 2 for +25 C limit.  
4. Read and Record  
O
TABLE 5. BURN-IN AND LIFE TEST DELTA PARAMETERS +25 C  
PARAMETER  
Supply Current - SSI  
Output Current (Sink)  
Output Current (Source)  
SYMBOL  
IDD  
DELTA LIMIT  
± 0.1µA  
IOL5  
± 20% x Pre-Test Reading  
± 20% x Pre-Test Reading  
IOH5A  
TABLE 6. APPLICABLE SUBGROUPS  
MIL-STD-883  
CONFORMANCE GROUP  
Initial Test (Pre Burn-In)  
Interim Test 1 (Post Burn-In)  
Interim Test 2 (Post Burn-In)  
PDA (Note 1)  
METHOD  
100% 5004  
100% 5004  
100% 5004  
100% 5004  
100% 5004  
100% 5004  
100% 5004  
Sample 5005  
GROUP A SUBGROUPS  
READ AND RECORD  
IDD, IOL5, IOH5A  
1, 7, 9  
1, 7, 9  
IDD, IOL5, IOH5A  
IDD, IOL5, IOH5A  
1, 7, 9  
1, 7, 9, Deltas  
1, 7, 9  
Interim Test 3 (Post Burn-In)  
PDA (Note 1)  
IDD, IOL5, IOH5A  
1, 7, 9, Deltas  
2, 3, 8A, 8B, 10, 11  
1, 2, 3, 7, 8A, 8B, 9, 10, 11  
Final Test  
Group A  
7-57  
123456789

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