是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.59 | 最长访问时间: | 150 ns |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
长度: | 37.4 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 105 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 页面大小: | 32 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 6.35 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.008 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28LV64LA-15 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28LV64LA-15T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64LA-15T | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64LA20 | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64LA-20 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28LV64LA-20 | ONSEMI |
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暂无描述 | |
CAT28LV64LA-20T | CATALYST |
获取价格 |
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28LV64LA-20T | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64LA25 | ONSEMI |
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64 kb CMOS Parallel EEPROM | |
CAT28LV64LA-25T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |