是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.01 |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; PAGE WRITE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.9 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C64BKI-20TE13 | ONSEMI |
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暂无描述 | |
CAT28C64BKI-20TE7 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 200ns, PDSO28, 0.300 INCH, EIAJ, SOIC-28 | |
CAT28C64BKI-90 | CATALYST |
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暂无描述 | |
CAT28C64BKI-90 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, EIAJ, SOIC-28 | |
CAT28C64BKI-90T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BKI-90T | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, EIAJ, SOIC-28 | |
CAT28C64BL12 | ONSEMI |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM | |
CAT28C64BL-12 | CATALYST |
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EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C64BL-12 | ONSEMI |
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8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP28, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-28 | |
CAT28C64BL-12T | CATALYST |
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64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM |