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CAT25010SE-1.8

更新时间： 2025-07-19 17:39:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 199K
描述
128X8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, SOIC-8

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CAT25010SE-1.8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.05
最大时钟频率 (fCLK)：1 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：4.9 mm
内存密度：1024 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：128 words
字数代码：128工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

CAT25010SE-1.8 数据手册

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CAT25010, CAT25020, CAT25040  
Table 5. A.C. CHARACTERISTICS − Mature Product  
(T = −40°C to +85°C (Industrial) and T = −40°C to +125°C (Extended).) (Notes 4, 8)  
A
A
V
= 1.8 V − 5.5 V / −405C to +855C  
= 2.5 V − 5.5 V / −405C to +1255C  
V
= 2.5 V − 5.5 V  
CC  
CC  
V
CC  
−405C to +855C  
Min  
DC  
40  
Max  
Min  
Max  
Symbol  
Parameter  
Units  
MHz  
ns  
f
Clock Frequency  
5
DC  
10  
SCK  
t
Data Setup Time  
Data Hold Time  
20  
20  
40  
40  
SU  
t
H
40  
ns  
t
SCK High Time  
75  
ns  
WH  
t
SCK Low Time  
75  
ns  
WL  
t
HOLD to Output Low Z  
Input Rise Time  
50  
2
25  
2
ns  
LZ  
t
RI  
(Note 5)  
(Note 5)  
ms  
t
FI  
Input Fall Time  
2
2
ms  
t
t
HOLD Setup Time  
HOLD Hold Time  
Output Valid from Clock Low  
Output Hold Time  
Output Disable Time  
HOLD to Output High Z  
CS High Time  
0
0
ns  
HD  
CD  
10  
10  
ns  
t
V
75  
40  
ns  
t
0
0
ns  
HO  
t
50  
20  
25  
ns  
DIS  
t
100  
ns  
HZ  
t
140  
30  
30  
20  
20  
10  
10  
70  
15  
15  
15  
15  
10  
10  
ns  
CS  
t
CS Setup Time  
ns  
CSS  
CSH  
CNS  
CNH  
WPS  
WPH  
t
t
CS Hold Time  
ns  
CS Inactive Setup Time  
CS Inactive Hold Time  
WP Setup Time  
ns  
t
ns  
t
ns  
t
WP Hold Time  
ns  
t
(Note 7)  
Write Cycle Time  
5
5
ms  
WC  
Table 6. POWER−UP TIMING (Notes 5, 6)  
Symbol  
Parameter  
Max  
1
Units  
t
Power−up to Read Operation  
Power−up to Write Operation  
ms  
ms  
PUR  
t
1
PUW  
4. AC Test Conditions:  
Input Pulse Voltages: 0.3 V to 0.7 V  
CC  
CC  
Input rise and fall times: ≤ 10 ns  
Input and output reference voltages: 0.5 V  
CC  
Output load: current source I  
/I  
; C = 50 pF  
OL max OH max L  
5. This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.  
6. t  
7. t  
and t  
are the delays required from the time V is stable until the specified operation can be initiated.  
PUR  
WC  
PUW CC  
is the time from the rising edge of CS after a valid write sequence to the end of the internal write cycle.  
8. All Chip Select (CS) timing parameters are defined relative to the positive clock edge (Figure 2). t  
timing specification is valid  
CSH  
for die revision D and higher. The die revision D is identified by letter “D” or a dedicated marking code on top of the package. For  
previous product revision (Rev. C) the t  
is defined relative to the negative clock edge (please refer to data sheet Doc. No.  
CSH  
MD−1006 Rev. U)  
http://onsemi.com  
3
 
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT25010SE-1.8REV-B CATALYST

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 		EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8
CAT25010SE-1.8TE13 ONSEMI

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 		IC 128 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, SOIC-8, Programmable ROM
CAT25010SE-REV-B CATALYST

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