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Datasheet > 电源电路 > 电源管理电路> CAT1021LE-28TE13
CAT1021LE-28TE13 PDF预览

CAT1021LE-28TE13

更新时间： 2024-01-04 13:08:09
品牌 Logo 应用领域
CATALYST 电源电路电源管理电路光电二极管监控可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
20页 149K
描述
Supervisory Circuits with I2C Serial 2k-bit CMOS EEPROM, Manual Reset and Watchdog Timer

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CAT1021LE-28TE13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.07
Is Samacsys：N可调阈值：NO
模拟集成电路 - 其他类型：POWER SUPPLY MANAGEMENT CIRCUITJESD-30 代码：R-PDIP-T8
JESD-609代码：e3长度：9.59 mm
信道数量：1功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

CAT1021LE-28TE13 数据手册

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CAT1021, CAT1022, CAT1023  
RESET CIRCUIT AC CHARACTERISTICS  
Test  
Conditions  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
tPURST  
tRPD  
Reset Timeout  
Note 2  
Note 3  
130  
200  
270  
5
ms  
µs  
VTH to RESET Output Delay  
tGLITCH  
MR Glitch  
tMRW  
VCC Glitch Reject Pulse Width  
Manual Reset Glitch Immunity  
MR Pulse Width  
Note 4, 5  
Note 1  
Note 1  
Note 1  
30  
ns  
ns  
µs  
µs  
100  
5
tMRD  
MR Input to RESET Output Delay  
1
tWD  
Watchdog Timeout  
Note 1  
1.0  
1.6  
2.3  
sec  
POWER-UP TIMING5,6  
Test  
Conditions  
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ  
Max  
Units  
tPUR  
tPUW  
Power-Up to Read Operation  
Power-Up to Write Operation  
270  
270  
ms  
ms  
AC TEST CONDITIONS  
Parameter  
Test Conditions  
0.2 VCC to 0.8 VCC  
10 ns  
Input Pulse Voltages  
Input Rise and Fall times  
Input Reference Voltages  
Output Reference Voltages  
0.3 VCC , 0.7 VCC  
0.5 VCC  
Current Source: IOL = 3 mA;  
CL = 100 pF  
Output Load  
RELIABILITY CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Reference Test Method  
Min  
Max  
Units  
(5)  
NEND  
Endurance  
MIL-STD-883, Test Method 1033 1,000,000  
Cycles/Byte  
Years  
(5)  
TDR  
Data Retention  
ESD Susceptibility  
Latch-Up  
MIL-STD-883, Test Method 1008  
MIL-STD-883, Test Method 3015  
JEDEC Standard 17  
100  
2000  
100  
(5)  
VZAP  
Volts  
(5)(7)  
ILTH  
mA  
Notes:  
1. Test Conditions according to “AC Test Conditions” table.  
2. Power-up, Input Reference Voltage V = V , Reset Output Reference Voltage and Load according to “AC Test Conditions” Table  
CC  
TH  
3. Power-Down, Input Reference Voltage V = V , Reset Output Reference Voltage and Load according to “AC Test Conditions” Table  
CC  
TH  
4.  
5. This parameter is characterized initially and after a design or process change that affects the parameter. Not 100% tested.  
6. and t are the delays required from the time V is stable until the specified memory operation can be initiated.  
V
Glitch Reference Voltage = V ; Based on characterization data  
THmin  
CC  
t
PUR  
PUW  
CC  
7. Latch-up protection is provided for stresses up to 100 mA on input and output pins from -1 V to V + 1 V.  
CC  
Doc. No. 3009, Rev. K  
6
1...3456789...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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