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C2Z200B

更新时间: 2024-11-18 20:04:07
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CENTRAL 高压测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 365K
描述
Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 2W, Silicon, Unidirectional, DO-41,

C2Z200B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.32其他特性:HIGH VOLTAGE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:200 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:2.4 mA
Base Number Matches:1

C2Z200B 数据手册

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