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C20T03QLH

更新时间: 2024-02-20 17:10:41
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NIEC 整流二极管肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 55K
描述
Schottky Barrier Diode

C20T03QLH 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.49 V
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:180 A元件数量:2
相数:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
最大反向电流:1000 µA表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

C20T03QLH 数据手册

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AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE  
VRM=30 V  
C20T03QLH/C20T03QLH-11A (Total)  
24  
20  
16  
12  
8
RECT 180°  
SINE WAVE  
4
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
CASE TEMPERATURE (°C)  
SURGE CURRENT RATINGS  
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load  
C20T03QLH/C20T03QLH-11A  
200  
160  
120  
80  
40  
I
FSM  
0.02s  
0
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
1
2
TIME (s)  

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