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C20T03QLH_15

更新时间： 2024-10-01 01:20:55

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美国国家仪器公司 - NI		/
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SBD

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C20T03QLH_15 数据手册

20A Avg.

30 Volts

SBD

C20T03QLH

■最大定格ꢀMaximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

V_RRSM

I_O

Conditions

Unit

く

り返しピーク逆電圧

Repetitive Peak Reverse Voltage

くり返しピークサージ逆電圧

Repetitive Peak Surge Reverse Voltage

35 pulse width≦1μs duty≦1/50

平

均

整

流

電

流

50Hz、正弦全波通電抵抗負荷

50Hz Full Sine Wave Resistive Load

Tc＝128℃

Average Rectified Forward Current

実

効

順

電

I_F(RMS)

I_FSM

22.2

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

180

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度範囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度範囲

T_stg

－40～＋150

℃

Storage Temperature Range

■APPROX. NET WEIGHT:1.4g

■電気的・熱的特性ꢀElectrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

抗

一素子あたりꢀ

Per Diode

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

－

Peak Reverse Current

ピ

ー

ク

順

V_FM

T_j＝25℃, I_FM＝10A, ^{一素子あたりꢀ}

－

0.54

1.5

Per Diode

Peak Forward Voltage

熱

抵

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

－

℃/W

Thermal Resistance

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.2

FIG.3

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失ꢀ特ꢀ性

AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION

順

ꢀ電ꢀ圧ꢀ特ꢀ性

ピーク逆電流ꢀ－ꢀピーク逆電圧特性

PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE

Tj= 150°C

C20T03QLH/C20T03QLH-11A (Total)

RECT 180

C20T03QLH/C20T03QLH-11A (per Arm)

100

SINE WAVE

平

均

順

ピ

｜

ク

逆

電

流

瞬

時

順

Tj=25°C

Tj=150°

電

力

損

失

電

流

（Ａ）

（ｍＡ）

（Ｗ）

0.2

0.4

0.6

0.8

AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

PEAK REVERSE VOLTAGE (V)

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ（Ａ）

瞬ꢀ時ꢀ順 ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

ピꢀーꢀクꢀ逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

FIG.4

FIG.5

FIG.6

サꢀーꢀジꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ定ꢀ格

平ꢀ均ꢀ順 ꢀ電ꢀ流ꢀ－ꢀケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ定ꢀ格

AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE

VRM=30V

平ꢀ均ꢀ逆ꢀ電ꢀ力ꢀ損ꢀ失

SURGE CURRENT RATINGS

AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION

f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load

C20T03QLH/C20T03QLH-11A

C20T03QLH/C20T03QLH-11A (Total)

RECT 180

200

160

120

RECT 180

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

SINE WAVE

平

均

逆

電

力

損

失

サ

｜

ジ

順

平

均

順

SINE WAVE

電

流

電

流

（Ａ）

FSM

（Ａ）

（Ｗ）

0.02s

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

100

125

150

TIME (s)

CASE TEMPERATURE (°C)

REVERSE VOLTAGE (V)

時ꢀ間ꢀ（ｓ）

ケꢀーꢀスꢀ温ꢀ度ꢀ（℃）

逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

FIG.7

接ꢀ合ꢀ容ꢀ量ꢀ特ꢀ性

JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE

Tj=25

C,Vm=20mVRMS, f=100kHz, Typical Value

C20T03QLH/C20T03QLH-11A (per Arm)

2000

1000

500

接

合

容

量

（ｐＦ）

200

0.5

REVERSE VOLTAGE (V)

逆ꢀ電ꢀ圧ꢀ（Ｖ）

508

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
C20T03QLH_2015	NI	获取价格	SBD
C20T03QLH-11A	NIEC	获取价格	Schottky Barrier Diode
C20T03QLH-11A_15	NI	获取价格	SBD
C20T03QLH-11A_2015	NI	获取价格	SBD
C20T03QLHTE24R	NIEC	获取价格	Rectifier Diode,
C20T03QLHTRLH	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB
C20T03QLHTRRH	NIEC	获取价格	暂无描述
C20T03QLTE24L	NIEC	获取价格	暂无描述
C20T03QLTE24R	NIEC	获取价格	Rectifier Diode,
C20T03QLTRLH	NIEC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB

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