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C20T03QL-11A

更新时间: 2024-02-18 02:10:24
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NIEC 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
6页 66K
描述
Schottky Barrier Diode

C20T03QL-11A 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.82
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.49 V
JESD-30 代码:R-PSIP-T3最大非重复峰值正向电流:180 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:20 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V最大反向电流:1000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE

C20T03QL-11A 数据手册

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PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE  
Tj= 150 °C  
C20T03QL/C20T03QL-11A (per Arm)  
1000  
500  
200  
100  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)  
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION  
C20T03QL/C20T03QL-11A (Total)  
RECT 180°  
16  
12  
8
SINE WAVE  
4
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
REVERSE VOLTAGE (V)  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon, TO-263AB