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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.69 | JESD-609代码： | e3 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C106B-2 | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, PLASTIC PAC |
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| C106B-2 | MOTOROLA |
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4A, 200V, SCR, TO-225AA |
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| C106B21 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| C106B2PBFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| C106B3 | NJSEMI |
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The Type C106 Silicon Controlled Rectifier |
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| C106B4 | NJSEMI |
获取价格 |
The Type C106 Silicon Controlled Rectifier |
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| C106B41 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| C106B4X51 | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| C106B-AY | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| C106BG | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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