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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C08IE120HP | STMICROELECTRONICS |
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Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm |
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| C08IE120HV | STMICROELECTRONICS |
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Emitter Switched Bipolar Transistor ESBT 1200 V - 8A - 0.10 ohm |
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| C08IE150HV | STMICROELECTRONICS |
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Emitter switched bipolar transistor ESBT 1500 |
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| C08M68HC08M | MOTOROLA |
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HCMOS Microcontroller Unit |
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| C0-8N2J-E-10 | SUPERWORLD |
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Length (mm): 0.60 | Width (mm): 0.30 | Height (mm): 0.30 | SPQ (reel) : 15000 Design of mu |
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| C0901A | GENERAL |
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COMPUTER CABLE |
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| C090X025KBT | PANDUIT |
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Thermal Transfer Component Labels |
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| C090X025KCT | PANDUIT |
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Thermal Transfer Component Labels |
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| C090X025YJT | PANDUIT |
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Thermal Transfer Component Labels |
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| C091 00U000 131 2 | AMPHENOL |
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PROTECTIVE CAP |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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