BZX85C6V2

更新时间： 2024-02-24 20:40:42

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管测试
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描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85C6V2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	4 Ω
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	6.2 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	35 mA
Base Number Matches：	1

BZX85C6V2 数据手册

BZX85C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Available with tighter tolerances

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85608

Rev. 3, 01-Apr-99

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