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BZX85C4V7

更新时间: 2024-11-22 11:11:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 测试二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
4页 134K
描述
齐纳二极管

BZX85C4V7 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:End Of Life
包装说明:DO-41, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.33
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:13 ΩJEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:45 mA

BZX85C4V7 数据手册

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Zener Diodes  
BZX85C10 - BZX85C16  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Values are at T = 25°C unless otherwise noted.  
A
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation @ T = 25°C  
Value  
1.0  
Unit  
www.onsemi.com  
P
D
W
A
Power Dissipation @ T = 25°C at 4 mm  
1.3  
L
distance from the glass package  
Derate above 50°C  
6.67  
mW/°C  
°C  
T , T  
Operating Junction Temperature Range  
65 to +200  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
AXIAL LEAD / DO41  
CASE 017AH  
MARKING DIAGRAM  
$Y  
85C  
1x  
&2  
$Y  
= Logo  
85C  
1x  
= Specific Device Code  
= Specific Device Code  
x = 0, 1, 2, 3, 5, 6  
&2  
= 2Digit Date Code Format  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
April, 2021 Rev. 3  
BZX85C3V3/D  

BZX85C4V7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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1N4732A-T50A ONSEMI

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Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.3%, 1.3W,
BZX85C4V7.TR SYNSEMI

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Zener Diode, 4.7V V(Z), 6.3%, 1.3W,
BZX85C4V7A EIC

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Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 1.3W,
BZX85C4V7-A MCC

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Zener Diode,
BZX85C4V7AF SUNMATE

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