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BZX85C4V7

更新时间： 2024-11-18 00:01:27

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威世 - VISHAY		二极管测试
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6页	50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85C4V7 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.27	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL

BZX85C4V7 数据手册

BZX85C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Available with tighter tolerances

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85608

Rev. 3, 01-Apr-99

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