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BZX85C12

更新时间： 2024-01-26 02:55:17

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4页	139K
描述
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

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BZX85C12 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	12 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.39%	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

BZX85C12 数据手册

BZX85 ...

SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

Features

Silicon Planar Power Zener Diodes

for use in stabilizing and clipping circuits with high power rating.

The Zener voltages are graded according to the international

E 24 standard. Other voltage tolerances and higher Zener

voltages upon request.

DIMENSIONS

inches

DIM

Note

Min.

Max.

0.169

0.110

0.031

Min.

Max.

4.3

2.8

0.8

1.102

28.0

Absolute Maximum Ratings (T_a=25

)

Symbols

Values

Units

Zener current see Table "Characteristics"

Power dissipation at T_amb=25

Junction temperature

P_tot

T_j

1.3

200

Storage temperature range

T_S

-55 to +200

Note:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

Characteristics ^at T_amb=25

Symbols

R_thA

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal resistance

130

1.0

K/W

junction to ambient Air

Forward voltage at I_F=200mA

V_F

Note:

(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.

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