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BZX85B10

更新时间: 2024-11-22 22:17:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

BZX85B10 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.26其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:2%
工作测试电流:25 mABase Number Matches:1

BZX85B10 数据手册

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BZX85B...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Sharp edge in reverse characteristics  
Low reverse current  
Low noise  
Very high stability  
Applications  
94 9369  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Test Conditions  
l=4mm, T =25 C  
Type  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
W
P
V
L
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
T
stg  
175  
–65...+175  
C
C
j
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
110  
Unit  
K/W  
l=4mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
I =200mA  
F
V
F
1
V
Document Number 85607  
Rev. 3, 01-Apr-99  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
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