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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> BZX84C6V2ET1G
BZX84C6V2ET1G PDF预览

BZX84C6V2ET1G

更新时间： 2024-02-01 04:13:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 稳压器二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Zener Voltage Regulators

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BZX84C6V2ET1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.49
其他特性：UL RECOGNIZED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：10 ΩJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.225 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：6.2 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：6.45%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

BZX84C6V2ET1G 数据手册

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BZX84C2V4ET1 Series  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T = 25°C  
A
I
unless otherwise noted, V = 0.95 V Max. @ I = 10 mA)  
F
F
I
F
Symbol  
Parameter  
V
Reverse Zener Voltage @ I  
Reverse Current  
Z
ZT  
I
ZT  
Z
Maximum Zener Impedance @ I  
ZT  
V
Z
V
R
ZT  
V
I
V
F
R
ZT  
I
Reverse Leakage Current @ V  
Reverse Voltage  
R
R
I
V
R
I
F
Forward Current  
V
F
Forward Voltage @ I  
F
QV  
Maximum Temperature Coefficient of V  
Z
Z
C
Max. Capacitance @ V = 0 and f = 1 MHz  
R
Zener Voltage Regulator  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (T = 25°C unless otherwise noted, V = 0.90 V Max. @ I = 10 mA)  
A
F
F
(Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices.)  
Max  
V
(V)  
= 5 mA  
V
(V)  
= 1 mA  
V
(V)  
Reverse  
Leakage  
Current  
q
VZ  
(mV/k)  
Z1  
Z2  
Z3  
Z
(W)  
@ I  
Z
(W)  
@ I  
Z
ZT3  
(W)  
@
C (pF)  
@
V = 0  
R
ZT1  
ZT2  
@ I  
@ I  
@ I =20 mA  
ZT1  
(Note 4)  
ZT2  
(Note 4)  
ZT3  
(Note 4)  
@ I =5 mA  
ZT1  
Device  
Mark-  
ing  
ZT1  
ZT2  
I
V
(V)  
=
=
I
=
f =  
R
R
ZT3  
@
Min Nom Max  
Min  
Max  
2.9  
4.7  
5.3  
6
Min  
3.6  
4.5  
5
Max  
4.2  
mA  
Min Max  
Device  
5 mA  
1 mA  
20 mA  
40  
15  
15  
10  
6
1 MHz  
450  
260  
225  
200  
185  
155  
140  
130  
130  
110  
105  
100  
80  
BZX84C3V3ET1  
BZX84C4V7ET1  
BZX84C5V1ET1  
BZX84C5V6ET1  
BZX84C6V2ET1, G*  
BZX84C6V8ET1  
BZX84C7V5ET1  
BZX84C10ET1  
BZX84C12ET1  
BZX84C15ET1  
BZX84C16ET1  
BZX84C18ET1  
BZX84C24ET1  
BA4  
BA9  
BB1  
BB2  
BB3  
BB4  
BB5  
BB8  
BC1  
BC3  
BC4  
BC5  
BC8  
3.1  
4.4  
3.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
10  
3.5  
5
95  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
20  
25  
30  
40  
45  
70  
2.3  
3.7  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
5
3
2
1
3
2
1
1
−3.5  
0
5.4  
2
−3.5 0.2  
−2.7 1.2  
−2.0 2.5  
4.8  
5.4  
4.2  
5.9  
2
5.2  
6
4.8  
5.2  
5.8  
6.4  
7
6.3  
2
5.8  
6.6  
5.6  
6.6  
7.2  
7.9  
10.6  
12.7  
15.5  
17  
6.8  
4
0.4  
1.2  
2.5  
4.5  
3.7  
4.5  
5.3  
8.0  
6.4  
7.2  
6.3  
7.4  
6
4
7
7.9  
6.9  
80  
8
6
5
9.4  
10.6  
12.7  
15.8  
17.1  
19.1  
25.6  
9.3  
150  
150  
200  
200  
225  
250  
9.4  
11.4  
13.9  
15.4  
16.9  
22.9  
10.7  
12.9  
15.7  
17.2  
19.2  
25.7  
10  
10  
20  
20  
20  
25  
0.2  
0.1  
7
11.4  
14.3  
15.3  
16.8  
22.8  
12  
11.2  
13.7  
15.2  
16.7  
22.7  
8
6.0 10.0  
15  
0.05 10.5  
9.2 13.0  
16  
0.05 11.2 10.4 14.0  
0.05 12.6 12.4 16.0  
0.05 16.8 18.4 22.0  
18  
19  
24  
25.5  
q
VZ  
Max  
(mV/k) Be-  
low  
V
@ I  
Below  
V
@ I  
Below  
Reverse  
Leakage  
Current  
Z2  
Z3  
Z
Z
Z
ZT3  
Below  
@ I  
ZT3  
C (pF)  
ZT1  
ZT2  
V
Z1  
Below  
=
= 10 m  
@ I  
= 2  
ZT2  
ZT3  
ZT1  
Below  
@ I  
Below  
@ I  
@ V  
R
@ I  
= 2 mA  
0.1 mA  
A
mA  
ZT1  
Device  
Mark-  
ing  
= 0  
f =  
1 MHz  
ZT1  
=
ZT4  
=
I
V
(V)  
=
R
R
@
Min Nom Max  
Min  
Max  
28.9  
46  
Min  
Max  
29.3  
46.5  
mA  
Min Max  
Device  
BZX84C27ET1  
BZX84C43ET1  
2 mA  
0.5 mA  
10 mA  
BC9  
BK6  
25.1  
40  
27  
43  
28.9  
46  
80  
25  
300  
25.2  
40.1  
45  
0.05 18.9 21.4 25.3  
0.05 30.1 37.6 46.6  
70  
40  
150  
39.7  
375  
80  
* The “G” suffix indicates Pb−Free package available.  
4. Zener voltage is measured with a pulse test current I at an ambient temperature of 25°C  
Z
http://onsemi.com  
2
 
123456

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