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BZX84C6V2-GS08

更新时间: 2024-11-28 14:37:39
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威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 55K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.35W,

BZX84C6V2-GS08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.8
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.3 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX84C6V2-GS08 数据手册

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BZX84C2V7–BZX84C51  
Vishay Telefunken  
350 mW Surface Mount Zener Diodes  
Features  
Planar die construction  
350 mW Power dissipation  
Zener voltages from 2.7V – 51V  
Ideally suited for automated assembly processes  
94 8550  
Order Instruction  
Type  
BZX84C2V7  
Ordering Code  
BZX84C2V7–GS08  
Remarks  
Tape and Reel  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
on ceramic substrate  
10 mmx8 mmx0.7 mm  
Type Symbol  
Value  
350  
Unit  
mW  
Power dissipation  
P
d
Zener current (see figures 1–3 below)  
Junction and storage temperature range  
T =T  
–55...+150  
C
j
stg  
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
on ceramic substrate 10 mmx8 mmx0.7 mm  
Symbol  
R
thJA  
Value  
420  
Unit  
K/W  
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward Voltage  
Test Conditions  
I =10 mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
0.9  
V
F
V
F
www.vishay.com  
1 (5)  
Document Number 85606  
Rev. A2, 12-Mar-01  

BZX84C6V2-GS08 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.35W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3
BZX84C6V2HE3 MCC

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Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
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DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
BZX84C6V2-HE3-18 VISHAY

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DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
BZX84C6V2L ROHM

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Zener Diode
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Zener Diode,