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BZX84C6V2-E3-08

更新时间： 2024-02-03 13:05:49

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	125K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.3W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BZX84C6V2-E3-08 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
Factory Lead Time：	12 weeks	风险等级：	0.56
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	10 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.3 W	标称参考电压：	6.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX84C6V2-E3-08 数据手册

BZX84-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

T = 25 °C

V_Z= R_zthx I_Z

ΔV_Z

I_Z= 5 mA

Test

current

5 mA

I_Z= 2 mA

40 V

V_Z

100 V

18112

18128

Fig. 13 - Change of Zener Voltage from Turn-on up to the Point of

Thermal Equilibrium vs. Zener Voltage

Fig. 15 - Breakdown Characteristics

T = 25 °C

3.9

5.6

2.7

6.8

3.3 4.7

8.2

l_Z

Test

current

I_Z5 mA

Test

current

I_Z5 mA

10 V

10 20 30 40 50 60 70 80 90100 V

18113

18111

Fig. 14 - Breakdown Characteristics

Fig. 16 - Breakdown Characteristics

Rev. 2.1, 08-Nov-16

Document Number: 85763

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