BZX55C6V8

更新时间： 2024-01-22 06:49:51

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZX55C6V8 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	8 Ω
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	6.8 V
最大反向电流：	0.1 µA	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZX55C6V8 数据手册

BZX55C2V0-

BZX55C75

SILICON PLANAR ZENER DIODE

FEATURES

Zener Voltage Range 2.0 to 75 Volts

DO-35 Package (JEDEC)

Through-Hole Device Type Mounting

Hermetically Sealed Glass

DO-35

Compression Bonded Construction

All external surfaces are corrosion resistant and leads

are readily solderable

(

)

.022 0.56

DIA.

(

)

.018 0.46

(

)

1.02 26.0

MIN.

(

)

.165 4.2

MAX.

(

)

.079 2.0

DIA.

MAX.

(

)

1.02 26.0

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

SYMBOL

VALUE

500

UNITS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

^OC

-65to+200

stg

Note: "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".

VB 2007-4

12 3 4 5

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BZX55C6V8.TR	FAIRCHILD	获取价格	Zener Diode, 6.8V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35
BZX55-C6V8/A52R	NXP	获取价格	6.8V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS
BZX55C6V8/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-
BZX55-C6V8113	NXP	获取价格	DIODE 6.8 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regula