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BZX55C3V3

更新时间: 2024-01-30 14:53:20
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NJSEMI 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX55C3V3 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:1.85其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:85 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:3.3 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.06%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX55C3V3 数据手册

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