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BZX55C3V3

更新时间： 2024-11-20 06:45:11

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZX55C3V3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.34
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	85 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	265	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3.3 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	6.06%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C3V3 数据手册

BZX55C2V0-

BZX55C75

SILICON PLANAR ZENER DIODE

FEATURES

Zener Voltage Range 2.0 to 75 Volts

DO-35 Package (JEDEC)

Through-Hole Device Type Mounting

Hermetically Sealed Glass

DO-35

Compression Bonded Construction

All external surfaces are corrosion resistant and leads

are readily solderable

(

)

.022 0.56

DIA.

(

)

.018 0.46

(

)

1.02 26.0

MIN.

(

)

.165 4.2

MAX.

(

)

.079 2.0

DIA.

MAX.

(

)

1.02 26.0

MIN.

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25^oC unless otherwise noted )

RATINGS

SYMBOL

VALUE

500

UNITS

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

200

^OC

-65to+200

stg

Note: "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".

VB 2007-4

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