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BZX55C39

更新时间： 2024-01-26 08:06:18

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威世 - VISHAY		二极管测试
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6页	74K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX55C39 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.61	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	90 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	39 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5.13%
工作测试电流：	2.5 mA	Base Number Matches：	1

BZX55C39 数据手册

BZX55C...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

Applications

94 9367

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Z–current

Junction temperature

Storage temperature range

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

500

Unit

P /V

175

–65...+175

stg

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

1.5

Document Number 85605

Rev. 4, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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BZX55C39 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N5256	EIC	功能相似	ZENER DIODES

与BZX55C39相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BZX55-C39	PANJIT	获取价格	AXIAL LEAD ZENER DIODES
BZX55-C39	TSC	获取价格	500mW Zener Diode
BZX55-C39	GOOD-ARK	获取价格	Zener Diodes
BZX55-C39	VISHAY	获取价格	ZENER DIODES
BZX55-C39	MCC	获取价格	500 mWatt Zener Diode 2.42 to 47 Volts
BZX55C39.TB	SYNSEMI	获取价格	Zener Diode, 39V V(Z), 5.1%, 0.5W,
BZX55C39.TR	SYNSEMI	获取价格	Zener Diode, 39V V(Z), 5.1%, 0.5W,
BZX55-C39/A52R	NXP	获取价格	39V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS
BZX55C39/TAP	VISHAY	获取价格	DIODE 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2
BZX55C39/TR	VISHAY	获取价格	DIODE 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2