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BZX55C39

更新时间: 2024-02-07 19:01:33
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美台 - DIODES 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 170K
描述
500mW ZENER DIODE

BZX55C39 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.61其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:90 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:39 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5.13%
工作测试电流:2.5 mABase Number Matches:1

BZX55C39 数据手册

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BZX55C2V4 - BZX55C75  
500mW ZENER DIODE  
-
NS  
SIG  
DE  
W
NE  
R
FO  
ED  
ND  
ME  
OM  
EC  
T R  
NO  
Features  
7B  
26  
N5  
- 1  
1B  
22  
N5  
E 1  
US  
·
·
·
·
Very Sharp Reverse Characteristic  
Low Reverse Current Level  
Very High Stability  
Low Noise  
A
B
A
C
D
Mechanical Data  
DO-35  
Min  
25.40  
Dim  
A
Max  
·
·
Case: DO-35, Glass  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
B
4.00  
0.60  
2.00  
C
·
·
Polarity: Cathode Band  
Approx. Weight: 0.13 grams  
D
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
K/W  
V
Test Condition  
Lead length = 4.0mm, TL = 25°C  
Pd  
IZ  
Power Dissipation  
Pd/VZ  
300  
Zener Current  
Lead length = 4.0mm, TL = constant  
IF = 200mA  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Forward Voltage  
VF  
1.5  
Tj, TSTG  
-65 to +175  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
DS18013 Rev. 3 - 3  
1 of 3  
BZX55C2V4-BZX55C75  

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DIODE 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2