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BZX55C33-TAP

更新时间: 2024-01-08 17:39:06
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.5W,

BZX55C33-TAP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.38
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX55C33-TAP 数据手册

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BZX55B...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Low noise  
Very high stability  
Available with tighter tolerances  
V –tolerance ± 2%  
Z
94 9367  
Applications  
Voltage stabilization  
Order Instruction  
Type  
Ordering Code  
Remarks  
BZX55B2V4  
BZX55B2V4–TAP  
Ammopack  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
l=4 mm, T =25 C  
P
V
L
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
300  
Unit  
K/W  
l=4 mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =100mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
Document Number 85604  
Rev. A4, 12-Mar-01  
www.vishay.com  
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