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BZX55C12.TR

更新时间: 2024-01-29 04:31:43
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美国国家半导体 - NSC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 43K
描述
DIODE 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regulator Diode

BZX55C12.TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.07
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:12 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX55C12.TR 数据手册

  

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