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BZX55C11T50A

更新时间: 2024-01-01 13:10:38
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美国国家半导体 - NSC 测试二极管
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1页 43K
描述
11V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

BZX55C11T50A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.64外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:20 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:11 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX55C11T50A 数据手册

  

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