BZX55C11BSB

更新时间： 2024-02-11 05:08:18

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RECTRON		稳压二极管局域网
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5页	274K
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SILICON PLANAR ZENER DIODE

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BZX55C11BSB 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-35	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	11 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.45%	工作测试电流：	5 mA

BZX55C11BSB 数据手册

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@TA=25^OC unless otherwise specified)

V_ZT@I_ZT

R_ZT@I_ZT

I_R@T_A=25^OC

I_ZT

V_R

( V )

(NOTE)

( Ω )

MAX

TYPE

MARKING

( uA )

MAX

( mA )

( V )

(NOTE)

MIN

MAX

BZX55C 30BS

BZX55C 30BSA

BZX55C 30BSB

BZX55C 30BSC

BZX55C 30BSD

BZX55C 33BS

BZX55C 33BSA

BZX55C 33BSB

BZX55C 33BSC

BZX55C 33BSD

BZX55C 36BS

BZX55C 36BSA

BZX55C 36BSB

BZX55C 36BSC

BZX55C 36BSD

26.99

27.70

28.36

29.02

29.68

30.32

30.90

31.49

32.14

32.79

33.40

34.01

30.51

28.39

29.13

29.82

30.51

33.11

31.22

31.88

32.50

33.11

35.77

33.79

34.49

35.13

35.77

30V

30VA

30VB

30VC

30VD

33V

5.0

0.2

33VA

33VB

33VC

33VD

36V

36VA

36VB

36VC

36VD

NOTE: Pulse Condition : 20mS < tp < 50mS, Duty Cycle < 2%.

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