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BZX55-C36153

更新时间: 2024-11-24 03:51:59
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恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 172K
描述
DIODE 36 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, Voltage Regulator Diode

BZX55-C36153 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:36 V
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:32.4 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA

BZX55-C36153 数据手册

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