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BZW04P256

更新时间: 2024-11-19 20:29:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 电视
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
400W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

BZW04P256 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.28
Is Samacsys:N其他特性:UL RECOGNIZED
最大击穿电压:330 V最小击穿电压:285 V
击穿电压标称值:300 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:529 V配置:SINGLE
最小二极管电容:90 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:400 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.7 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:256 V最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BZW04P256 数据手册

  

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